功率半導(dǎo)體器件仍然是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭”，電力電子技術(shù)的進步必須依靠不斷推出的新型 大功率開關(guān)電源電力電子器件。
　　功率場效應(yīng)管(MOSFET)由于單極性多子導(dǎo)電，顯著地減小了開關(guān)時間，因而很容易地便可達到1MHz的開關(guān)工作頻率而受到世人矚目。但是 MOSFET，提高器件阻斷電壓必須加寬器件的漂移區(qū)，結(jié)果使器件內(nèi)阻迅速增大，器件的通態(tài)壓降增高，通態(tài)損耗增大，所以只能應(yīng)用于中小功率產(chǎn)品。為了降低通態(tài)電阻，美國IR公司采用提高單位面積內(nèi)的原胞個數(shù)的方法。如IR公司開發(fā)的一種HEXFET場效應(yīng)管，其溝槽(Trench)原胞密度已達每平方英寸1.12億個的世界最高水平，通態(tài)電阻R可達3mΩ。功率MOSFET，500V、TO220封裝的HEXFET自1996年以來，其通態(tài)電阻以每年50%的速度下降。IR公司還開發(fā)了一種低柵極電荷(Qg)的HEXFET，使開關(guān)速度更快，同時兼顧通態(tài)電阻和柵極電荷兩者同時降低，則R×Qg的下降率為每年30%。對于肖特基二極管的開發(fā)，最近利用Trench結(jié)構(gòu)，有望出現(xiàn)壓降更小的肖特基二極管，稱作TMBS-溝槽MOS勢壘肖特基，而有可能在極低電源電壓應(yīng)用中與同步整流的MOSFET競爭